型号:WFU5N65L
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品牌: WINSEMI
价格：＄0.094554
交货城市：香港;起订量：1;数量：4000 (单位:PCS);交期：7 (天);批次：;产品分类：;单据编号：1016070101;封装 ：BGA;最小包装：1;有效期至： 2016/10/18;日期 ： 2016/07/20
【产品所属系列】：场效应管
【产品型号】：WFU5N65L
【产品应用】PC电源、充电器、适配器、HID镇流器、节能灯、电子镇流器、电子变压器、UPS、电焊机、LED等。
特征
5.0A，650V，RDS（on）（max2.7?）@ VGS = 10V;超低栅极电荷（典型的12nc）;快速切换的能力;100%雪崩测试最大结温范围（150℃）
一般描述
这是功率MOSFET的使用市稳先的先进生产平面条形，VDMOS技术新技术已特别是设计，以尽量减少对国家的阻力，有一个高坚固的雪崩特性，这种设备是特别好适用于半桥和全桥谐振拓扑结构电子镇流器、高效率开关模式电源供应，有源功率因数校正。
参数
VDSS漏源电压650 V
ID连续漏电流（@ TC = 25）5
连续漏电流（@ TC = 100）2.8
IDM漏极电流脉冲（注1）16
VGS栅源电压30 V±
EAS单脉冲雪崩能量（注2）202 MJ
耳边重复雪崩能量（注1）14 MJ
PD总功耗（@ TC = 25）77 W
降额因子25以上的℃0.62 W /℃
TJ，最大容许连接和存储温度55 ~ 150℃
TL 300℃通道温度
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