功率MOSFET芯片IRF3808大量现货价格优惠_IRF3808_深圳市福田区源信达电子商行

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邮箱：yuanxinda888@163.com
规格参数：

制造商:

Fairchild Semiconductor

产品种类:

MOSFET

RoHS:

详细信息

Id-连续漏极电流:

75 A

Vds-漏源极击穿电压:

100 V

Rds On-漏源导通电阻:

14 mOhms

晶体管极性:

N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :

20 V

最大工作温度:

+ 175 C

Pd-功率耗散:

310 W

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220-3

封装:

Tube

商标:

Fairchild Semiconductor

通道模式:

Enhancement

配置:

Single

下降时间:

97 ns

最小工作温度:

- 55 C

上升时间:

117 ns

系列:

HUF75645

工厂包装数量:

典型关闭延迟时间:

41 ns

零件号别名:

HUF75645P3_NL

单位重量:

1.800 g

本公司长期供应以下型号：

IRF2807Z
SUP85N10
IRF2807
IRF3803
IRF1010E
IRF5305
IRFZ46
HUF75645
IRF640
IRF3808
IRF4905
IRF3205
IRF1010N
IRFZ44
IRF540
IRFZ48
IRF3607
IRF4710
IRF8010
7805
20100
D1406

官网：http://yuanxinda168.hqew.com/
源自：深圳市源信达电子商行

地址：深圳市福田区新亚洲二期N2A076

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