聚合物钽电容,超低阻抗钽电容,T520钽电容,KEMET钽电容
T520A106M010ATE080 T520A107M004ATE150 T520A107M004ATE200 T520A107M006ATE070 T520A107M006ATE100 T520A107M006ATE150 T520A156M010ATE080 T520A226M006ATE090 T520A226M006ATE100 T520A226M010ATE080 T520A336M004ATE070 T520A336M004ATE080
T520A336M006ATE070 T520A336M006ATE080 T520A336M006ATE120 T520A476M004ATE070 T520A476M004ATE080 T520A476M006ATE150
T520A476M2R5ATE090 T520A686M006ATE150 T520A686M2R5ATE070 T520A686M2R5ATE080 T520B106M016ATE100 T520B107M003ATE025
钽粉的纯度、电介质的厚度、片状钽电容密封材料以及MnO2层的平坦度等片状钽电容制造工艺方面的缺陷,并不意味着片状钽电容在使用中就会失效,而是它承受功率的能力相对较低,当片状钽电容受到浪涌电流冲击或高温工作时,失效的可能性就会增大。
片状钽电容的一个重要特性就是“白愈”功能。固体片状钽电容受到高电流、高电压等破坏因素冲击时,并非就损坏,这是因为固体片状钽电容在高阻抗电路中暂时的击穿可以“自愈”。假设在片状钽电容的阳极区域有一个电介质较薄的位置,片状钽电容的大部分电流(充放电电流、漏电流等)将流过这个位置,下图所示,这个位置将被加热,如果温度上升到400-500℃之间,将会发生如下化学反应:4MnO2=2Mn2O3+O2
导电性良好的MnO2化学反应后转变为导电性差的Mn2O3, 缺陷位置由导电物料MnO2转换为不导电物料Mn2O3后,流过这个位置的电流将大大的减小,这个缺陷点被有效的“plugged(弥补)”,片状钽电容又可以正常工作了。
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